檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "氧".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="銻化銦"
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本研究探討Al0.3In0.7Sb三元系統與InSb-In異質結構奈米線兩部份。首先，兩種奈米線的合成方法皆是通過使用真空液壓鑄造的方式來製備，鑄造用的前驅材料Al0.3In0.7Sb及InSb-I…
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本研究是將銻化銦 (InSb) 塊材利用陽極氧化鋁 (AAO) 模板輔助真空壓鑄法製備一維結構奈米線，再將單根奈米線製備成熱電量測元件，以量測其熱電性質。使用陽極氧化鋁奈米模板作為鑄造模具，將預先熔…
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本論文，對半導體奈米材料研究分為三個部分，分別為InSb 奈米線之金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M…
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本研究是將銻化銦塊材利用陽極氧化鋁模板(AAO)輔助真空液壓鑄造法製作一維結構奈米線，獲得奈米線與共聚物混和，應用於製備成有機場效電晶體(OFET)記憶體電荷儲存層。主要探討二個方向：(1)銻化銦塊…
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在本實驗中，探討成分對於鑄造銻化銦奈米線之熱電性能之影響。研究中以III-V族半導體之銻化銦 (InSb)作為材料的選擇，因銻化銦 (InSb)在III-V族半導體中，具有極小的能隙以及較高的電子遷…